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鎧裝薄膜鉑熱電阻|WZPK-505U|

產(chǎn)品型號： WZPK-505U

所屬分類：鎧裝鉑電阻

產(chǎn)品時間：2024-07-17

簡要描述：WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，*自動的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻的詳細(xì)介紹
WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻

Pt100

詳情介紹

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，*自動的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻

的詳細(xì)介紹

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻

1．測溫范圍、允差

名稱	型號	分度號	測溫范圍	等級	允許偏差
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應(yīng)時間

在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過電流1mA，zui大測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。

4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差

名稱	等級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元件

一、概述

CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，*自動的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

二、技術(shù)特點

1．薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。

2．鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

3．薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。

4．引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5．規(guī)格：

型號	規(guī)格長×寬×高	阻值	測量電流	精度	測量范圍	熱響應(yīng)時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃

6．精度：

等級	α	0℃時的電阻值（Ω）	允許偏差（Ω）
A	0.003851	100.00	±0.150+0.002t
B	0.003851	100.00	±0.30+0.005t

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